小编：|由Miaotou应用程序的作者生成的|张博|广广Xuezin编辑的头部照片| AI作为第三代的映射被广泛禁止为碳化硅（原始）
|由Miaotou应用程序的作者生成的|编辑Zhang Bo |古徐辛的头部照片|与传统的基于硅的设备（例如具有高温，高压和高频电阻的第三代宽带半导体材料）相比，在性能中涂漆的硅（SIC）在性能中要好得多。它被广泛用于新的能源车辆，太阳能存储，5G通信和其他领域。随着IA的计算机功率进入指数级增长阶段，碳化硅碳化物已通过新的增量空间进行了指导，解决了用高功率芯片解决散热问题的问题，并成为支持数据中心能源效率更新的中心材料。从长远来看，工业链和关键技术的上游将受益。 ＃01 1。爆炸的计算机功率造成了问题，碳化硅成为重要的解决方案。随着CO的mputer功率急剧增加。 NVIDIAH100GPU的能耗预计将达到700W，预计下一代鲁宾处理器将超过1000W。传统硅间插座的性能瓶颈越来越突出：导热率仅为150W/mk，热膨胀系数（4.2ppm/°C）无法适应芯片材料，导致芯片产量直接降解，导致可靠性不良。碳化硅材料的性质仅与此要求相吻合。它的导热率达到490W/mk（比硅的三倍以上），并且热膨胀系数（4.3ppm/°C）非常consithissiess，它不仅是有效地散发热量的芯片材料，而且还可以保证包装的稳定性。在芯片包装字段中，NVIDIA计划用SIC替换Cowos包装中的硅整数。实际测量表明，使用SIC整数后，操作TEH100芯片的MPeratiate可以从95°C降低到75°C，将冷却成本降低30％，并两次延长芯片的使用寿命。同时，SIC可以通过孔接收出现比的高级设计，将互连距离降低50％，并将数据传输速度提高20％，与IA.Poder芯片的“高速数据通道”的构建相当。从2025年到2026年的时间表，第一代鲁宾GPU使用硅整体，而TSMC同时促进了Procsic包装的研究和开发。从2027年开始，SIC Interframers将正式引入Cowos包装，预计初始生产能力将满足高端GPU需求的10％。 ＃022。 800V HVDC架构：碳化硅重建AI数据中心的能量系统。 IA计算机功率的爆炸性增长促进了对电力的需求增加。传统的权力体系结构54V接近能源消耗，使用空间和转换效率的限制，无法接纳G瓦特AI计算机食品负载。为此，NVIDIA计划在2027年完全生产出800 V（HVDC）的高压直流数据中心，其中碳化硅成为“电力革命”的核心。在采用了SIC设备后，数据中心将铜材料的使用减少了45％，节省了120万公里，节省了120万公里。 $ 00,000，大大提高了能源使用和盈利能力的效率。 ＃033。工业链收入的核心：上游材料代表了很高的比例，技术迭代促进了工业硅碳化物链的增长，上游材料债券的障碍和技术价值百分比最高，底物代表设备总成本的47％。目前，碳化硅基质的国内市场正在提供“ 6英寸统治的技术飞跃”→8英寸的替换→12英寸的探索”。不同尺寸的产品应参与差异化的需求场景。6英寸的衬底：它是中国的主要电流，占2024年董事会总发货的70％以上，但由于容量过剩，它已跌至2500-2,800 Yuan/pi5,000 Yuan/pi5,000 Yuan/fool byan/fool byan/fool byan yuan yuan/foot yuan yuan/foot tood 2024％ Byd，Nio和其他汽车公司的规格。将电池寿命提高了10％，将＃044提高专注于汽车和能源汽车设备的部门，其市场地位稳定。内部市场份额超过50％（第1个Constbore），全球市场份额为22.8％（第二名）。它的主要竞争力集中在大型基材技术和生产能力上。导电底物：内部市场份额为60％，大于8英寸或更多。上海lingang基地于2024年达到了8英寸导电委员会的生产能力，直接提供BYD，NIO和其他汽车公司。半矛盾的董事会：内部市场份额约为40％，主要用于5G基站和军事雷达，与华为和中兴通讯建立了长期合作。 Metatungerbird X3 Pro Almegane使用12英寸高纯度半构造底物。 Pownthough：2024年11月，这是行业中心12英寸硅碳化物的第一批产品）。 2。天富含能源：天克·赫达（Tianke Heda）是一个潜在的后门目标，而中范围和低端基板市场Domina Tianke Heda是国家碳化物碳化物田地的“两个英雄”之一，在内部市场（不断分类）中参与了70％的参与，其中17.3％的参与全球市场，其价格和价格的重要成本和优势。 8英寸关节的成本仅占国际水平的40％，而6英寸产品的价格比进口产品的价格低30％-50％，这允许在日本创建中等和低尺寸的市场。控制。同时，他们与华为数字能源和Sungrow Power合作开发了太阳能投资者解决方案，该解决方案占国家太阳能市场的45％。科学技术创新委员会的两个冲刺在2020年和2023年被封锁（商业问题，撤回申请的商业问题，注册系统的批准无效）。天富含能源直接拥有蒂安克·赫达（Tianke Heda）股票的9.09％，而天富集团的主要股东拥有11.62％的股份。各方形成共同演员。市场猜测Tianke Heda可以通过Tianfu后门的能量暴露。值得注意的是，在2025年8月底，前总统兼前总统天富·能源（Tianfu Energy）（即使在任期后的20个月零10天）同时放弃了，这进一步提高了市场期望，即“为收购后门开辟道路。”如果后门成功，天富含能源将成为“网络 +半导体”的主要业务模型，成为清晰A的罕见目标，市场价值超过400亿元人民币。 Tianke Heda可以获取融资平台，以加速容量的扩展（2025年客观委员会的容量880,000）。 3。金申的力学和电力：硅碳化物设备的领导者，完整的链条设计破坏了国际垄断，力学和电力OF Jinshen是一家国家半导体设备的公司，在硅碳化物田中的“制造设备 +材料生产”中构成了双卡车的优势。中央设备在整个链条中丢失和抛光（激光切割机，双面抛光机等），实现家庭替代品，并承认关节的加工成本降低了30％。国家董事会的主要制造商（例如Tianyue Advanced，Sanan光电，Silan Micro）使用SIC单玻璃烤箱，其中8英寸的设备占该国新生产能力的70％。材料的结尾：智格·朱格鲁辅助机构将于2025年5月提供，带有12英寸的导电硅碳化物，它会发展出晶体（直径309毫米），并且位错密度（TSD 10 300 bpds/cm²技术学。 sic晶体；资本能力和支持：2025年7月，启动了56亿个8英寸NOXIA的董事会项目，并且在完成后，它具有形成600,000个PC/年生产能力的目标，并在2026年第二季度12英寸的第二季度实现生产。在此Artículus中分析的硅碳化物，碳化物的应用，工业链的机会和公司竞争力的价值是基于长期工业逻辑。 ，我们需要观察结合技术迭代，产能的释放进展以及市场需求变化的动态。 *上述分析和讨论仅用于参考，不构成投资建议。 ————— Miaotou行业研究交换集团■ - 上海证券交易所的指数获得了3,800点，但大多数零售投资者的帐户并没有得到太大改善。问题是什么？首先，很难理解该部门旋转的节奏和第二，没有及时获得信息。不用担心，Miaotou社区拥有一个专业的投资研究团队，该团队可以实时解释营销市场趋势，并为投资决策提供了可靠的基础。按下QR码参加HXIU的年度FM创新节。终于来了！去年，[我们重温，我们重生]，今年，我想参加Huxiu F M Innovation Festival，用自己的双手打破了自己的未知版本〜
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